宏力半导体推出90纳米低漏电逻辑与混合信号平台
2013-03-20 09:34:24 来源：网络 点击：1442
摘要： 上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)，专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布推出8英寸90纳米低漏电逻辑与混合信号平台(以下简称“90纳米平台”)。
宏力半导体的90纳米平台为客户提供了更经济的8英寸工艺解决方案。该平台不仅在芯片栅密度上与业界普遍采用的12英寸90纳米工艺相近，还通过工艺优化的方式减少了掩模板层数，进一步降低了成本。与上一代0.13微米1.5伏低漏电技术相比，新推出的90纳米平台可在相同速度与低漏电的情况下，将逻辑电路尺寸缩小近50%;其后段制程延续了铝导线工艺，也有利于传统8英寸产品的迁徙换代。同时，该平台配备了高密度的标准单元库、存储器IP库和输入输出接口单元库，其中CUP (Circuit Under Pad)输入输出接口单元库的性能面积比达到业内同类技术先进水平。宏力半导体的90纳米平台及其配套IP库可帮助客户进一步缩小芯片面积、优化低功耗设计，为其提供更经济的解决方案。
企业发展暨战略单位副总经理傅城博士表示：“90纳米是目前宏力半导体最先进的工艺节点。该低漏电平台可打造广泛适用于以USB存储控制器、嵌入式多媒体记忆卡等多种新兴应用为代表的计算机与周边、消费类电子产品以及工业产品。而且，我们的90纳米工艺实现了业界同类技术中最少的掩模板层数，可为客户产品上市抢得先机。”
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近日，专注智能卡芯片设计的北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)共同宣布，同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗，且生产良率稳定，产品性能突出，已大量投放国内市场。
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