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Renesas R8C/20和R8C/21系列采用了高性能硅栅CMOS工艺
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Renesas R8C/20和R8C/21系列采用了高性能硅栅CMOS工艺

2013-04-17 11:15:29 来源:网络

【哔哥哔特导读】这个R8C / 20和R8C / 21组的制作使用了高性能的硅栅CMOS工艺使用R8C CPU核心和arepackaged在48销塑料模制LQFP。操作使用复杂的指令的MCUs以高水平的教学效率。与1兆字节的地址空间,它能够执行指令以很高的速度。这此外,数据闪(1 KB x 2块)是嵌入在R8C / 21组。

摘要:  这个R8C / 20和R8C / 21组的制作使用了高性能的硅栅CMOS工艺使用R8C CPU核心和arepackaged在48销塑料模制LQFP。操作使用复杂的指令的MCUs以高水平的教学效率。与1兆字节的地址空间,它能够执行指令以很高的速度。这此外,数据闪(1 KB x 2块)是嵌入在R8C / 21组。

关键字:  CMOS工艺MCU

这个R8C / 20和R8C / 21组的制作使用了高性能的硅栅CMOS工艺使用R8C CPU核心和arepackaged在48销塑料模制LQFP。操作使用复杂的指令的MCUs以高水平的教学效率。与1兆字节的地址空间,它能够执行指令以很高的速度。这此外,数据闪(1 KB x 2块)是嵌入在R8C / 21组。

The R8C/20 and R8C/21 Groups are built using the high-performance silicon gate CMOS process using the R8C CPU core and arepackaged in a 48-pin plastic molded LQFP. The MCUs operate using sophisticated instructions featuring a high level of instruction efficiency. With 1 Mbyte of address space, it is capable of executing instructions at high speed. This Furthermore, the data flash (1 KB x 2 blocks) is embedded in the R8C/21 Group.

The difference between R8C/20 and R8C/21 Groups is only the existence of the data flash. Their peripheral functions are the same.

Renesas R8C/20和R8C/21系列采用了高性能硅栅CMOS工艺

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