美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT-哔哥哔特商务网

美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

2013-08-19 12:00:45 来源：大比特半导体器件应用网点击：1588

摘要：致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through， NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors， IGBT)产品，备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计，尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。

美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率，与最接近竞争厂商的IGBT产品相比，效率提高了大约8%。新的NPT IGBT器件还能够实现高达150 kHz的极高开关速率，在与美高森美的碳化硅(silicon carbide， SiC)续流二极管(free-wheeling diode)配对使用时，开关速率可以获得进一步提高。针对最高150 KHz的较低速率应用，这些领先的650V NPT IGBT通过替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可让开发人员降低总体系统成本。

下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的Power MOS 8 技术，并且采用了最先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。与竞争解决方案相比，显著降低了总体开关损耗，并且可让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市场的丰富传统，美高森美期望扩大IGBT市场份额，根据Yole Développem ent最新报告，这个市场正从现今的36亿美元增长到2018年的60亿美元。

这些NPT IGBT器件易于并联(Vcesat正温度系数)，可以提升大电流模块的可靠性。它们还具有额定短路耐受时间(short circuit withstand time rated， SCWT)，可以在严苛的工业环境中可靠运作。

本文由大比特收集整理（www.big-bit.com）

本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；

阅读延展

IGBT MOSFET器件

从6A到50A全覆盖！派德芯能IPM与RC-IGBT产品助力家电变频系统高效升级
650V高压IGBT与40V低压MOS技术解析——电机驱动功率器件选型专题
IGBT模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车(EV)在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆(CAV)改造成由电力驱动。
英飞凌、瑞萨、极海、先楫等大厂新品快讯

本周，英飞凌、瑞萨电子、极海半导体以及先楫半导体等多家国内外半导体厂商发布新品，涵盖IGBT、100V N沟道MOSFET以及实时控制MCU等多款产品。
营收首降，斯达半导能否找到下一个风口？

作为国内市占率第一、全球排名第六的IGBT龙头企业，斯达半导在2024年上半年业绩突然踩下刹车。昔日的高歌猛进为何戛然而止？
安森美推出最新的第7代IGBT模块，助力可再生能源应用简化设计并降低成本

智能电源和智能感知技术的领先企业安森美最新发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。