目前市场上单绕组非隔离方案为芯片供电主要有两种方式：一、通过线电压直接为芯片供电。二、采用浮地架构，通过负载为芯片供电，以上两种供电方式都会有较大的供电损耗。用第一种供电方式的芯片做全电压输入的方案，在高压下供电电阻上的损耗不容小视。而第二种供电方式除了会增加芯片的应用成本外，当输出电压较高时供电损耗也不低。这两种供电方式均或多或少的有关机回闪的问题，增大了应用工程师的调试难度。而UR5403T在真正意义上解决了单绕组芯片供电的难题。

该驱动芯片支持输入电压VIN 180V~270V ，输出范围：50~150V 输出电流：84mA±2%,以及±2%的负载以及线电压调整率。

为提高系统效率，UR5403T采用真正的谷底开启。极大地降低了MOS管开通时寄生电容COSS 带来的损耗。同时，它还解决了系统OVP的问题。目前单绕组方案的OVP 也有两种解决办法。

1)浮地设计，直接检测负载输出电压;

2)采用固定TOFF 时间检测负载电压;

对于第一种方案，可以很好地检测输出过压，但会增加应用成本。而第二种方案中，TOFF设定脚是一个高阻抗脚，系统的开关信号会干扰到这个脚。相信许多工程师在量产的时候总会发现有那么一些片子的OVP不正常。这是合理的，因此之前的IC原厂没有认真考量这个问题。而UR5403T 通过专利的电路技术，克服了这个困难。

目前市场上的大多方案均采用源极驱动。源极驱动的好处是芯片耗电量少。缺点是由于控制芯片有个低压MOS管与高压MOS串联，会增大系统的损耗。也就是封装同样的MOS管，栅极驱动的MOS管开通损耗要低于源极驱动。

【电路图】

【物料清单】

【测试数据】

【实物图】