绿光对于实现全色控制的RGB LED应用非常重要。LED业界对生产高成本效益的RGB解决方案非常关注，因为RGB可以实现更为自然的光线，预计会成为通用照明市场的热门技术。然而绿光LED光效一直没有大幅提升，光效远低于蓝光和红光LED。为了LED行业一直在寻求提升绿光LED光效的办法。

今年，BluGlass在初步试验中成功地将低温RPCVD p-GaN应用于绿光LED，并获得了非常有前景的成果。这些成果显示，在采用同样的MOCVD生长多量子阱的情况下，RPCVD p-GaN生产的绿光LED的光效要高于BluGlass公司的MOCVD基准LED。

这意味着RPCVD工艺的低温益处有助于提升LED器件性能， 因为多量子阱层对温度很敏感。BluGlass将继续执行该试验，以使这些成果更为准确。

绿光LED应用的RPCVD价值主张与高亮度蓝光LED很相似。低温工艺可以提供性能优势，不过该价值主张在绿光LED市场潜力更大。因为绿光LED需要富铟多量子阱，因此更能够从较低温度生长工艺中获益。低温生长可以减少多量子阱的损坏，并且提供更高的铟含量，铟是产生绿波的核心材料。而目前还没有RPCVD生长的绿光多量子阱(该成果是采用MOCVD生长的多量子阱) ，因此RPCVD生长多量子阱与p-GaN的结合具有性能和成本优势。