2018年10月23日-25日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）和张家港高新技术产业开发区举办的“2018国际第三代半导体论坛”在深圳举办。苏州锴威特半导体有限公司董事长丁国华重点介绍了国产功率器件落后的原因以及突围之路，而第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长丁坤山重点分析了第三代半导体行业发展趋势。

国产大企仅占3%

会上，丁国华引用数据显示，2016年全球功率分立器市场规模达到160亿美元。作为功率器件最大的块头，MOSFE占比功率器件的39%。到2022年，功率MOSFET也将达到75亿美元。

苏州锴威特半导体有限公司董事长丁国华

但他透露，由于国内起步低，功率半导体器件长期被国外的长商所垄断。全球功率半导体分立器件主要集中在欧美日等企业，主要包括德州仪器、英飞凌、安森美、瑞萨和东芝等。

针对中国国内市场，半导体持续景气、功率器件持续供应不求。丁国华认为：“未来三年持续保持高速增长，市场规模突破2000亿美元。”而功率器件应用范围非常广阔，尤其是汽车功率器件开始进入发展需求高潮期。从技术上看，碳化硅功率器件未来有望弯道超车。

他提到，2017年中国功率半导体市场规模达到了1611.1亿元，占全球45%以上的市场份额，但供应链仍然被国外厂商所垄断，国产供给率仅15%。

与国外企业相比，国内MOSFET领域还存在很大差距，主要集中在低压MOSFET。作为国内首屈一指功率半导体企业，士兰微市场份额仅占1.9%，吉林华微市场份额也只占了1.1%。而全球行业老大英飞凌市场份额达到28.5%。