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我国存储器可以突破外国的垄断吗?
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我国存储器可以突破外国的垄断吗?

2019-12-09 10:03:36 来源:网络整理 点击:1259

【哔哥哔特导读】西方国家一直百般阻挠中国获得存储器技术,因此,我国只有依靠自己的力量才能改变现在的情况,以便尽快摆脱依赖外国,早日发展以及获得半导体技术。

据报道,近日,中国半导体业要发展自身的存储器,包含DRAM(存储器)及3D NAND闪存。但是,针对我国存储器业技术的来源难题,国外一直存有着质疑。在国外的逻辑当中,“技术务必向别人购买”。

我们都知道,外国并不希望我国可以获得存储器技术,就好像之前紫光尝试花230亿美金收购美光等,但是没有成功,迫不得已我国只有靠自己才能改变现在的情况。

存储器芯片是电子技术的粮库,数据信息的载体,事关数据信息的安全性,其市场容量充足,约占半导体材料整体销售市场的三分之一。据调查,中国销售市场消耗了全世界DRAM年产值的48%,耗费了全世界NAND Flash产值的35%,年进口总金额达到880亿美金,依靠外国技术超出90%。

对我国生产商而言,中小型容量存储芯片是在一个市场机遇。据业界预估,中小型容量存储芯片市场容量将维持在120亿-200亿美金,其中低容量NAND有60亿-100亿美金,NOR约30亿美金,低容量DRAM约70亿美金,随之物联网技术和移动智能终端的迅速发展,将不断发展对中小型容量存储芯片的要求,因而中国存储器业能够从这开始,站稳脚了再向高容量存储芯片迈入。

其中DRAM和3D NAND闪存是我国销售市场需求量较大的芯片,因而该类关键技术没办法购买到。西方国家采用多种手段来欺负我国,例如美国将福建省晋华、华为手机等纳入实体清单之中,阻拦中国发展和得到半导体技术。

存储器业的特性是,它的设计方案并不会太难,如NAND闪存大部分有二种结构特征,一种是Floating Gate浮栅式构造,美光,intel选用,另一种是Charge Trap正电荷捕捉型构造,在3D NAND闪存中变成主流的选择,例如东芝、三星、SK Hynix以内的闪存生产厂商通常挑选了Charge Trap构造。

DRAM量产重点在于生产流水线的质量管理及其不断的项目投资,扩张生产能力,最后以总数与价钱制胜。中国有巨大的销售市场及其政府部门的集成电路基金的扶持,艰难取决于生产能力上坡速度,以及在存储器的降低周期时间中可否继续下去。

在二季度,DRAM层面,三星占45%市场份额,Hynix(海力士)占29%市场份额,以及在NAND闪存中,三星的市场占35%及Hynix的18%,从数据可以看出韩国垄断全世界各类存储器。这类局势长期下来并不利产业链发展。

结语:

虽然中国半导体业发展道路不可能一帆风顺,将来还可能会经历一些坎坷,但是我们只要重视“学习曲线”的规律,我坚信中国半导体业最后一定可以获得成功。

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