半导体材料三极管又称之为双极型晶体三极管，通称晶体三极管。晶体管主要特点是在一定的电压标准下具备电流量变大功效，它是一种操纵电流量的半导体元器件。其功效是把很弱数据信号变大成力度值很大的电子信号，也作为无触点开关。

三极管是在一块半导体材料衬底上制做2个距离靠近的PN结，2个PN结把一整块半导体材料分为三部分，正中间一部分是基区，两边一部分是发射的地方与集电的地方，排序方法有PNP、NPN二种。

一、三极管基础构造

三极管有三个区，分别是发射区E、基区B、集电区C，三个区依照NPN、PNP排序产生2个PN结。基区、发射区的PN结称之为发射结(JE)，集区与集电区的PN结称之为集电结(JC)。

晶体三极管内部构造

结晶三极管按原材料分为二种：锗管、硅管。而每一种又有NPN与PNP二种结构形式，但应用数比较多的是硅NPN与PNP二种三极管，二者除开开关电源旋光性不一样外，其原理全是同样的。

二、结晶三极管的三种运行状态

三极管的三种情况也叫三个工作中地区，即：截至区、变大区与饱与状态区。

(1)、截至区：三极管工作中在截至情况，当发射结电压Ube低于0.6—0.7V的通断电压，发射结沒有通断集电结处在反方向参考点，沒有变大功效。

(2)、变大区：三极管的发射极加顺向电压，集电极加反方向电压通断后，Ib操纵Ic，Ic与Ib近似于线性相关，在基极再加上一个小数据信号电流量，造成集电极大的数据信号电流量輸出。

(3)、饱与状态区：当三极管的集电结电流量IC扩大到一定水平时，再扩大Ib，Ic也不会扩大，超过了变大区，进入了饱与状态区。饱与状态时，Ic较大 ，集电极与发送中间的内电阻最少，电压Uce仅有0.1V~0.3V，Uce《Ube，发射结与集电结均处在顺向电压。三极管沒有变大功效，集电极与发射极等同于短路故障，常与截至相互配合于电路。

主要是依据2个pn结的参考点标准来决策：

发射结正偏，集电结反偏——变大情况;

发射结正偏，集电结也正偏——饱与;

发射结反偏，集电结也反偏——截至情况。

正偏与反偏的差别：针对NPN晶体三极管，当发射极插线正级、基极接负级时，则发射结是正偏，相反为反偏;当集电极插线负级、基极(或发射极)接正级时，则集电结反偏，相反为正偏。总而言之，当p型半导体一边接正级、n型半导体一边接负级时，则为正偏，相反为反偏。