晶圆是生产制造IC的基本原材料。硅晶圆的生产过程通常是基于纯净度做到99.999%的纯光伏材料，这种纯硅需要被做成硅晶棒，历经照相制版、研磨、打磨抛光、切成片等程序流程，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，随后切成一片一片的、薄薄硅晶圆。

基于硅晶圆能够生产加工制做成各种各样电路元件，生产制造出有特殊电性功能的集成电路芯片产品。

晶圆划片是整个芯片生产制造工艺流程中的一道不可或缺的工序。

晶圆划片全过程中，因为强机械设备力的作用，晶圆边缘非常容易发生微裂、崩边和应力集中点，晶圆表层也非常容易存有应力遍布不均匀和损坏的状况，这种缺陷是导致晶圆制造中造成很多滑移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷及其晶圆、芯片易裂开的关键要素。

线切割加工工艺中，摆脱线锯的摇晃、提升其稳定性，对减少单晶硅片表层损伤(尤其是是表层较不光滑的缺陷)具有关键作用，挑选特性优质的线切割液是减少或防止这种问题的重要途径。

切割液具备一些特性：

它会对制作工艺指标影响较为大，主要是加工精度、高效率和表层的不光滑程度

它可降低硅晶圆切割设备发生生锈的问题。

它有优良的低泡沫性能。

因为切割液能减少晶圆表层实际操作和机械设备地应力，它有益于晶圆生产加工事后工艺流程的开展。

切割液有出色的润湿性能和传热性能，能够减少延性碎裂和刮伤，提升硅晶圆的良品率。

它能降低表层碎渣和表层金属材料层残余。

某公司开发设计的一款晶圆切割液，它的润湿性和切割高效率，降低了脆性崩裂、刮痕、隐裂等问题，能提高硅晶圆的切割高效率和良品率。

工艺细节关键点要求：

使用软水配置切割液;

水稀释液15～25倍应用;

长期使用的话，切割液的耗损量达到切割液总产量的1/3~1/2时，要立即加补原液或适度浓度值的新切削液;

参考配方：

70公斤去离子水+20公斤聚醚(表面活性剂)+5公斤聚乙二醇(表面活性剂)+3公斤炔醇(润湿渗透剂)+0.2公斤封端聚醚(消泡剂)

75公斤去离子水+15公斤脂肪醇聚氧乙烯醚(表面活性剂)+5公斤聚丙二醇(表面活性剂)+5公斤炔醇聚氧乙烯醚(润湿渗透剂)+0.2公斤封端聚醚(消泡剂)