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SiC助力新能源汽车提升续航里程与充电速度
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SiC助力新能源汽车提升续航里程与充电速度

2021-09-07 14:29:23 来源:半导体器件应用网 作者:小歪 点击:2635

8月26日-27日,2021’中国电子热点解决方案创新峰会于深圳盛大举办。万国半导体元件(深圳)有限公司(以下简称“AOS”)作为参展商亮相峰会。AOS资深销售工程师张晟阳接受半导体器件应用网记者采访。

此次峰会涵盖5G电源、光伏储能、新能源汽车无人驾驶&智能座舱、新能源汽车BMS与超级快充、PD快充&氮化镓、LED智能照明&大功率电源、AIoT&智能家居和智慧家电8个年度热点话题。张晟阳表示:“我们主要关注5G电源,新能源汽车以及PD快充的方案,同时AOS的产品也广泛应用于这些领域。”

SiC助力新能源汽车提升续航里程与充电速度

展位上,AOS携6吋SiC晶圆设计、第二代1200V αSiCTM 碳化硅MOSFET、小型化贴片封装及30V~150V系列场效应管以及65W快充完整解决方案等一一亮相,契合本次峰会的主题内容,让客户更直观了解AOS目前的新动态及市场方向。

随着新能源汽车市场的加速发展,汽车制造商正越来越多地实现800V电气系统,用以减小系统尺寸和重量的同时也延长了EV续航里程距离,显着提高了充电速度。第三代半导体材料碳化硅近年来市场热度持续升温,AOS借由在既有硅半导体产业技术的20年基石,由AOS自家设计团队研发出以6吋晶圆为基础的1.2KV耐压的碳化硅αSiC MOS管与二极管产品系列,搭配AOS重庆封装厂的弹性封装选择 (如TO247-3L, TO-247-4L),为客户的终端产品带来质量、能效与信任的服务。

同时张晟阳向记者介绍:“AOS这次主要带来的车规级碳化硅产品,广泛应用在车载充电机,充电桩以及光伏逆变器上,同时通过阿尔法新的封装,AOS部分中低压的产品也可应用于快充方案和5G电源。”

值得一提的是,AOS中低压MOS掌握屏蔽栅(SGT)工艺诸多专利,主要应用于DC-DC的30V-150V alpha SGT系列中低压MOSFETs。这些单位面积更低的导通内阻适合紧凑型适配器及砖块电源。它们具备极低的米勒电容,有效降低开关损耗。

众所周知,过去的一年中,整个半导体行业的产能供应比较紧缺,那么在业绩方面,AOS也是保持了比较强劲的增长势头。张晟阳告诉记者:“在过去的一年当中,AOS增长的幅度也是蛮大的,整个半导体市场的需求比早早几年增长得更猛。截至今年6月底,AOS上半年同比增长都是历史之最,每一个季度都是历史新高。”

从去年开始到现在,芯片涨价缺货的现象一直在延续,大多数半导体企业也因此受到波及。“AOS在产能上也是一直在提升,包括在美国的8寸晶圆厂以及中国重庆的12寸晶圆厂的产能。现在AOS产能供应整体还是比较紧张的,但是相信在来年会有一个比较大的改善。”张晟阳表示。

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