机器人"关节革命":GaN芯片成国产替代战场
2025-06-06 09:19:00 来源:半导体器件应用网 作者:李其靖 点击:4845
近日,中科无线半导体基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用。
这一成果进一步填补了国产机器人GaN驱动芯片的空白,为国产机器人关节模组的自主化提供了技术累计。
近年来,全球机器人产业迎来爆发式增长。
国际机器人联合会(IFR)发布的《2024年全球机器人报告》显示,截至2023年底,全球工厂运行的机器人数量已突破428万台,同比增长10%。展现出强劲的发展势头。
然而,在机器人快速普及的过程中,机器人的规模化应用仍面临核心瓶颈——作为机器人的“关节心脏”,电机驱动系统需在有限空间内完成高精度运动控制。而GaN的应用或许成为破解机器人驱动难题的关键。
图/包图网
德州仪器(TI)表示,GaN 可以在高 PWM 频率下以低损耗轻松实现更高精度的电机控制。GaN 的高功率密度特性与TI的集成式驱动器的特性相结合,可进一步减小尺寸。
目前,GaN在机器人领域的应用已从工业机械臂扩展至人形机器人赛道。
英飞凌预测,由于GaN材料能够提高紧凑性,机器人行业将在2025 年及以后广泛使用GaN,这将推动送货无人机、护理机器人和人形机器人的发展。而随着机器人技术与自然语言处理、计算机视觉等先进AI技术的融合,GaN将提供实现紧凑、高性能设计所需的效率。
GaN在机器人领域优势显著,但国内企业与国外巨头仍存在一定差距。
当前,德州仪器、英飞凌、EPC等外企在机器人GaN驱动领域占据优势地位:
德州仪器的LMG2100R026器件,具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET,可承受 55A 的持续电流。
英飞凌的PSOC™ Control C3系列,99%系统效率 + GaN器件低损开关 ,能耗直降10%,散热成本减半。
EPC的EPC91104 采用EPC23104 ePower Stage IC,能够提供高达 10 Apk(7 ARMS)的稳态输出电流,以及高达 20 Apk(14 ARMS)的脉冲输出电流。
外企的优势不仅在于半导体技术的深厚积累,更体现在产业生态的协同效应上。尤其是在人形机器人领域,这种协同形成了技术迭代与市场反馈相互促进的良性循环。
Big-Bit 产研室指出,人形机器人作为继计算机、智能手机、新能源汽车后的颠覆性产品,目前仍处于萌芽期。市场外资品牌占绝对优势地位,特斯拉、Figure AI 等已展示初步量产能力。
不过,国内机器人正快速追赶,宇树科技、优必选、智元机器人等企业已实现部分领域持平甚至技术赶超。
在国内机器人产业推动下,中科无线半导体、镓奥科技、东渐氮化镓等本土GaN企业也取得突破发展。
中科无线半导体本次发布正式商用型号为(CT-1906),LGA封装集成6个GaN HEMT(三相半桥拓扑)与3路独立驱动器。支持80V连续电压/100V瞬态电压、60A持续电流输出以及5MHz的开关频率。同步推出CT-1904、CT-1902系列。
高集成度、高可靠性、低功耗、全面保护机制,以及优异的动态响应和电磁兼容性。实现小体积大能量。实现开关频率1MHz以上,98.5%能量转换效率(较传统Si基方案提升40%),温升ΔT≤25K@满载)。
该系列芯片的推出,标志着国产 GaN 从 “实验室” 进一步走向 “产业化”。
中科无线半导体GaN驱动芯片的落地,不仅进一步填补了国产机器人GaN驱动芯片的空白,更为我国机器人产业打破外资技术垄断提供了关键累计。
GaN 凭借高频、高效、高集成的特性,已成为推动机器人向小型化、智能化、高性能化发展的核心技术。
未来,随着国产企业在材料工艺、芯片设计及产业化应用上的持续突破,GaN驱动芯片有望加速渗透至更多机器人细分场景,助力我国在全球机器人产业竞争中占据一席之地。
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