近日，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

此次推出的MOSFET科研样品分为两种IP结构：

1、SiC胶囊沟槽MOSFET科研样品

基于九峰山实验室完全自主IP的SiC胶囊型沟槽MOSFET结构，结合优化设计的新型终端技术，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。核心专利包括CN114141627A、CN114464680A、CN114883412A等。

规格：BV≥1400V，60~80mΩ，可为客户提供bare die （有源区面积约3.35mm*3.35mm）或者TO-247 3 pin封装形式的MOSFET器件，适用于特定测试及应用场景。10~40mΩ器件正在流片中，可接受定制化开发。

元胞结构

终端结构

（左）阻断特性（右）导通特性

2、SiC周期性两侧深掩蔽沟槽MOSFET科研样品

基于九峰山实验室完全自主IP的SiC双侧深掩蔽沟槽MOSFET结构，已通过HTGB、H3TRB，HTRB可靠性检测。核心专利包括：CN118472041B、CN119486224A、CN119997569A、CN119342864B等。

元胞结构

（左）阻断特性（右）导通特性

规格：BV≥1400V，20~80mΩ，Ronsp~ 2-2.4mOhm.cm2；可为客户提供bare die（有源区面积约3.35mm*3.35mm）和TO-247 3 pin封装形式的MOSFET器件，适用于特定测试及应用场景。16mΩ以下芯片（有源区面积约5mm*5mm）正在流片中，可接受定制化开发；

3、TO247封装科研样品数据及可靠性测试

MOSFET科研样品都经过电性能筛选测试，及第三方可靠性摸底1000Hrs测试。采用TO-247 3 pin封装形式器件（有源区面积约3.35mm*3.35mm）的电性能实测数据如下：

1000h HTGB测试结果

1000h H3TRB测试结果