冲电气工业展出了使用SOI底板集成有紫外光传感器和放大器的IC。产品名称为“ML8511”。外形尺寸仅为3.7×4.0×0.73mm，而且还有望减少部件数量，所以可应用于带紫外线仪表的钟表、附件及儿童用紫外线警报器等小型产品。将于2007年10月内开始量产。  

    紫外光传感器使用化合物半导体的产品此前已经面世。此次通过使用SOI底板在硅基二极管上形成紫外光传感器，成功地集成了放大器等硅半导体电路。顺便说一句，即使同样是硅基，采用Bulk底板时二极管也会检测可视光，因此需要配备阻隔可视光的滤波器。  

    通过集成放大器，成功地内置了将二极管的输出电流转换成电压后输出的电路。可直接使用A-D转换器，使用更为方便。另外，由于还可在机器组装前的工序中调整光灵敏度，因此光灵敏度的均一性高于采用化合物半导体的传感器。  

    ML8511的主要指标如下。可受光的最大波长为365nm，电源电压为2.7V～3.6V，功耗为工作时300μA、待机时0.1μA。建议工作温度范围为0～70℃。