英特尔(Intel)日前在国际电子元器件大会(IEDM)的最后一天展示了采用其65纳米工艺制造的两款微处理器的裸片照片，包括一颗双内核处理器，据信是代码名为Yonah的移动处理器。 英特尔逻辑技术开发组织高级院士Mark Bohr表示，两款MPU的照片，一颗是双核处理器，另一颗是单核MPU，表明英特尔已开发出“65纳米的产品原型”，但他拒绝透露更多细节。Bohr称，这些照片显示了英特尔已“非常顺利”的越过了采用65纳米工艺制造测试SRAM的阶段。2003年11月，该公司曾描述过采用65纳米工艺的70Mb测试SRAM。 Yonah曾在9月举行的英特尔开发商论坛(IDF)上首次亮过相。而在该公司近期的分析师会议上，英特尔CEO Paul Otellini据称演示了一台运行Windows XP操作系统、基于65纳米奔腾处理器的电脑。所有这些都表明英特尔正沿着轨道明年推出首款65纳米处理器。其日程表要求其65纳米工艺在2005年下半年应用到早期的商业化制造上。 英特尔的65纳米工艺具有第二代单轴应变硅隧道，与90纳米工艺相比，在PFET源及漏极的选择性沉积SiGe层内锗原子比例较高。此外，英特尔用碳硅代替了90纳米节点的氮硅作为蚀刻停止层。新蚀刻停止材料及更高的铜线，和腐蚀性更强的高宽比1.8，使互连堆栈速度更快。