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德州仪器 2.5A 隔离式栅极驱动器延长 1 倍器件使用寿命,并扩大工作温度范围
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德州仪器 2.5A 隔离式栅极驱动器延长 1 倍器件使用寿命,并扩大工作温度范围

2012-10-10 09:02:31 来源:半导体器件应用网

【哔哥哔特导读】日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 与 MOSFET 的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快 40%。该 ISO5500 的输入 TTL 逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅 (SiO2) 隔离层隔开,与光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长 1 倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路

摘要:  日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 与 MOSFET 的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快 40%。该 ISO5500 的输入 TTL 逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅 (SiO2) 隔离层隔开,与光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长 1 倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路系统,从而提高电子产品的安全性与可靠性。

关键字:  隔离式栅极驱动器,  德州仪器

日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 与 MOSFET 的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快 40%。该 ISO5500 的输入 TTL 逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅 (SiO2) 隔离层隔开,与光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长 1 倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路系统,从而提高电子产品的安全性与可靠性。如欲了解更多详情或订购样片,敬请访问:http://www.ti.com.cn/product/cn/iso5500 。

ISO5500 支持过流保护,而欠压锁定电路则可监控输出电源,确保电机控制、动作控制、工业逆变器以及开关模式电源等应用获得足够的栅极驱动电压。如果输出电源电压低于 12V,则栅极驱动器输出转为逻辑低状态,关闭电源晶体管,避免器件过热和损坏。最新栅极驱动器能够在 –40C 至 +125C 的更广泛温度范围内正常工作。

SN6501 变压器驱动器可配合变压器、整流器以及稳压器使用,为 ISO5500 提供二级电源,从而可为系统生成隔离电源提供一款小型、低成本、高效率的低电磁干扰 (EMI) 解决方案。

ISO5500 的主要特性与优势:

· 最快的传播时间:300 ns 最大传播延迟可加速电机控制;

· 器件间更好的匹配可提高性能:最大器件间偏移 45 ns,比光学栅极驱动器性能提高 80%。这对电机控制与电源逆变器等 H 桥应用非常重要,可确保高度准确的开关性能;

· 更高的可靠性:所有引脚都支持 4 kV 静电放电 (ESD),确保高可靠性,避免恶劣条件下器件损坏;

· 简化设计,降低成本:支持 3.3V 及 5V 电源,不但可在 3.3V 与 5V 应用中采用统一器件,同时也无需电平转换器,从而降低系统成本,减少器件数量;

· 与 TI 微控制器兼容:ISO5500 与 TI 微控制器产品系列形成有力互补,帮助各种不同电机及数字电源控制应用将信号电路系统及控制器与高压隔离。

工具与支持

ISO5500EVM 现已开始订购,可在用于指导电路板布局的同时,评估各种器件参数。

如欲获得相关支持,使用 ISO5500 进行设计,敬请访问 TI E2E™ 社区工业接口论坛,与 TI 专家交流。

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