Vishay推出新型高速硅PIN光电二极管VEMD10940F
2013-05-15 13:48:38 来源：大比特商务网 点击：1541
【哔哥哔特导读】日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940，以及匹配封装、对780nm～1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F。
摘要： 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940，以及匹配封装、对780nm～1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F。
日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940，以及匹配封装、对780nm～1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F，扩大其光电子产品组合。这些器件均具有±75°的超宽半强角，小尺寸侧视表面贴装封装的尺寸为3mm x 2mm，高度仅有1mm。
Vishay推出新型高速硅PIN光电二极管VEMD10940F
今天发布的这些红外发射器采用透明无色封装，在20mA下的典型发光强度达1mW/sr，比市场上的类似器件高33%，开关时间只有15ns。940nm VSMB10940采用GaAIAs多量子井技术，典型正向电压为1.3V;850nm VSMG10850采用双异质技术，正向电压为1.4V。
VEMD10940F光电二极管具有一个匹配VSMG10850和VSMB10940等830nm～950nm红外发射器的日光滤光片。器件的反向光电流为3µA，暗电流为1nA，峰值敏感度波长为920nm，光电流的温度系数低至0.1%/K。
VSMG10850、VSMB10940和VEMD10940F的外形很低，适合用在打印机显示屏、电子书阅读器、智能手机、平板电脑、超级本和GPS导航仪等设备的红外触摸板当中。器件可以在车间存放168小时，潮湿敏感度等级达到J-STD-020规定的3级。发射器和光电二极管支持无铅回流焊，并符合Vishay的绿色标准。
新款红外发射器和光电二极管现可提供样品，并已实现量产，供货周期为六周到八周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
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