在现代汽车和工业应用中，可靠性至关重要。从汽车区域控制器，到工业应用中的计算机数控等产品，无论最终产品是简单还是复杂，如果不能保证可靠性，就很可能损害制造商的声誉。此外，还需要考虑保修维修的成本，甚至是召回产品的成本。

2024年6月16日至21日，在华盛顿特区举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会，结合了RFIC、IMS2024和ARFTG会议。该活动汇集了全球射频行业最重要的企业，从集成电路、传感器、连接器、电缆、光学和波导产品等。

面向未来大数据中心第三代和绿色化供电系统提出了高变比LLC谐振变换器，为了解决高变比LLC谐振变换器的变压器绕组匝数过多、绕组结构复杂这一技术瓶颈背后的核心科学问题，本文提出一种“十”字型低匝比平面变压器。

训练生成式人工智能（GenAI）神经网络模型通常需要花费数月的时间，数千个基于GPU并包含数十亿个晶体管的处理器、高带宽SDRAM和每秒数太比特的光网络交换机要同时连续运行。虽然人工智能有望带来人类生产力的飞跃，但其运行时能耗巨大，所以导致温室气体的排放也显著增加。

随着全球能源需求的增长和环保意识的提高，可再生能源，尤其是光储系统得到了日益广泛的应用。

微基站是一种比传统宏站小得多的低功率基站设备。特征是：小型化，在2～10kg之间；低发射功率，一般在500mW～10W之间；可控性好；智能化；组网灵活。覆盖范围半径在50～200m。

应用于通信电源系统的过电压防护器常因严酷的暂态过电压应力出现防护失效的问题，严重影响通信基站运行的安全可靠性。

在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。

当今的大型家用电器市场与能源效率和“能源之星”认证等相关品牌推广息息相关。消费者期望这类终端设备（如冰箱或暖通空调(HVAC)系统）具备出色的能效和产品可靠性。在本文中，我们将探讨氮化镓(GaN)和无刷直流(BLDC)电机系统的结合如何帮助提高消费者的生活水平。

在阐述对电连接器认知和回眸我国电连接器行业发展历程基础上，详细分析了行业由“制造”转向“创造”大国的六大关键要点。并对行业未来发展提出“培育人才、联合创新、认清差距、赶超一流”的十六字建言。

NTT公司正在致力于开发一种体积小、成本低的高通量的光互连模块。这一技术我们称之为ParaBIT，即并行板间光互连技术。它是一种具有40信道的前端模块，其通量超过25Gbps，采用多模光纤后其传输距离可以超过100m。

散热器为不能充分散热的部件提供散热。例如，它们被用于冷却计算机中的中央处理单元(cpu)和图形处理单元(gpu)，功率晶体管和其他高功率半导体器件，以及用于光电子器件，如激光器和led。散热器通过吸收热量来保护关键部件免受损坏或性能损失。

先进的连接解决方案正在促进新的人工智能数据中心架构建立。高速板对板连接器、新一代电缆、背板连接器、运行速度高达224 Gb/s近asic线缆解决方案，将加速算力的未来发展。

半导体行业的发展已经接近传统硅芯片技术的物理极限，许多人认为摩尔定律不再适用行业发展。多芯片先进封装和硅光子学的兴起提供了一条复苏的途径。

连接器的电磁干扰屏蔽性能可以防止电磁噪声干扰。

材料测试在各个行业的产品开发和制造中至关重要。它确保了产品能够在其预期应用中承受恶劣的环境条件。

随着建筑业开始电动化，OEM制造商们发现，这并不像乘用车中使用的技术那么简单。连接器供应商正在解决这种转变所带来的独特挑战。

在现代电子设备中，连接器技术起着至关重要的作用。随着科技的进步，传统连接器接连遭遇更高速率传输､更小体积的设计等行业挑战。

本文将对电力系统引入基于混合信号微控制器+AI的智能电弧检测和阻断设计方案快速崛起以提升电网的灵活性，平滑电力输出等问题作研讨。与此同时从源头上应用超低功耗微控制器助力光伏储能系统的构建并成为新质生产力的增长点作分析说明。

传统的电力管理模式存在诸多不足，尤其在电力设施的监控和故障预判方面，存在信息获取不及时、数据处理效率低、维护成本高等问题。因此，智能传感器技术在低压配电网络管理中的应用显得尤为关键。

MgZn系铁氧体密度较低、气孔率较高，在很大程度上限制了其应用范围。本文分析了在生产工艺过程中产生气孔的原因，并提出了具体的控制措施，达到减少气孔、降低气孔率的效果。

随着第三代半导体功率器件的迅速发展，功率变换器中更高频磁元件的应用将越来越普及，国内外频率高达MHz的磁元件损耗评测量鲜有研究。现有高频绕组损耗测量方法难以体现磁元件实际工况对绕组损耗的影响。

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。

本文采用传统的ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系氧化锌线性电阻，探究了烧结温度对氧化锌基线性电阻的电阻温度系数和微观结构的影响。

Palmas复合型电源浪涌保护器将压敏电阻（MOV）、陶瓷放电管（GTD）、瞬态抑制二极管（TVS）、浪涌电阻（SR）, 温度控制保险管等各种防雷、瞬态过电压保护元器件、通过串联和并联的矩阵方式排列在PCB电路板，由主放电电路和控制电路组成。解决了残压、响应时间、漏电流、通流量、工频续流、使用寿命的问题。