郭建军认为，目前MOS模块是市面上比较热门的氮化镓碳化硅新材料的关键产品，为了做到更小的电阻，就要避免更多的单体，因此在规范化期间做到更高耐压1200伏，1700伏则是它的优势。

SJ-MOSFET主要工艺

据郭建军介绍，SJ-MOSFET 主要工艺 Multi-EPI 多次外延首先从为N- epi 生长、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循环多次迭代形成结构、制作MOS表面结构。

而SJ-MOSFET 主要工艺-Deep Trench 深沟槽首先是N- epi生长、然后刻蚀深沟槽、再者生长P型外延、最后才是制作MOS表面结构。

MOSFET封测顺序则是晶粒切割、晶粒黏贴、焊线、塑封、切割成型以及最终测试。

MOSFET IDM：

1) 在一定的脉冲宽度下，基于功率MOSFET的转移工作特性或输出特性的真正的单脉冲最大电流测量值。

2) 在一定的脉冲宽度下，基于瞬态的热阻和最大结温的计算值。

(3) IDM 最大漏极电流也由器件源极键合引线的熔断电流决定。

防止LLC启动/短路，MOSFET直通的电路

郭建军表示，推荐使用MOSFET 内部快速恢复二极管，而例如 INF CFD2，则有成本高，未从源头消除问题的不足之处。

浪涌抑制电路

郭建军对于浪涌抑制电路较为理想，他认为它的优势在于GDT 小的技术电容不影响信号和系统连接;MOV 漏电流更小(MOV 理解为待机状态，不是时刻都接入到母线中);开关电源和白色家电产品延长MOV 的寿命，提高系统可靠性。

车载充电机

结合今次新能源汽车主题，长园维安第三代深沟槽工艺应用于车载充电机上防浪涌防雷电路、有源PFC整流器、主功率、辅助电源+5V和+12V。

最后，SJ-MOS创新封装优势在于无引脚封装，低寄生电感还有助于最大限度地减少电磁干扰，尺寸更小，适合更高的功率密度产品，(3200VAC,100%测试)热阻与普通TO-22—样省去绝缘垫片和绝缘粒节省或者减小散热片，半桥拓扑无需使用绝缘垫。