全球散热及电源解决方案品牌酷冷至尊(上海)科技有限公司与全球功率系统半导体领导厂商英飞凌科技合作，结合双方在散热设计以及电源转换的专业与优势，推出X series旗舰级850W - 2000W高功率电源系列，以满足持续提升的高功率需求及在同样性能下的静音表现。

英飞凌科技股份公司推出 PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器，通过将高精度模拟和高压子系统集成到单芯片上，满足汽车电池管理行业的需求。

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。

英飞凌科技股份公司推出了OPTIGA™ Authenticate NBT产品。

最新的功率半导体技术可实现大幅节能，功耗降低达 10 太瓦

Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

2024年5月21日讯 – Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日宣布推出SCALE-iFlex™ XLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体功率模块，该模块适用于储能系统以及风电和光伏可再生能源应用。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司与汽车软件提供商ETAS合作，共同将ESCRYPT CycurHSM 3.x汽车安全软件堆栈集成到AURIX™ TC4X网络安全实时模块(CSRM)中，希望借助这套新一代解决方案包提升安全级别、性能和功能。

Littelfuse公司发布了电子保险丝保护集成电路系列的最新成员——LS0502SCD33S。 这款新开发的产品引入了单电池超级电容器保护集成电路，专为极端条件下的备用电源充电而定制，在该领域树立了新的基准。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司针对要求严苛的24/48 V市场推出适用于无刷直流电机的MOTIX™ TLE9140EQW栅级驱动器IC。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司与HighTec EDV-Systeme等合作伙伴携手，进一步扩展了其AURIX™微控制器的Rust生态系统。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布推出用于Arduino的XENSIVTM传感器扩展板，这是一款专为评估智能家居和各种消费应用中的智能传感器系统而设计的多功能工具。

英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。

智能电源和智能感知技术的领先企业安森美推出先进的微型模拟前端 (AFE)--CEM102，能以超低的电流实现超高精度的电化学传感。

英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。

英飞凌科技股份公司与嵌入式安全领域的全球领导者Green Hills Software LLC共同推出基于微控制器的集成处理平台，适用于安全关键型实时汽车系统。

英飞凌科技股份公司AURIX™ 微控制器（MCU）系列所提供的先进实时计算硬件适用于安全关键型汽车应用中的嵌入式AI等用例。

英飞凌科技股份公司近日宣布推出最新款蓝牙模块CYW20822-P4TAI040，在低功耗与覆盖范围等方面实现了新的突破，推动物联网和消费电子领域的无线连接技术进一步发展。

英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。

摩尔斯微电子宣布全球首次现场演示Wi-Fi CERTIFIED HaLow技术，成功将传输距离延长到三公里（近两英里）。

英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。

英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。

英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。