宽温高磁导率MnZn铁氧体TL7C是为了满足汽车电子应用开发量产的材料，具有饱和磁通密度高、居里温度高等特性，用于制作共模电感，广泛应用于汽车电子领域。本文介绍了TL7C材料的制备过程，详细描述了TL7C材料与传统材料特性差异，简介了材料的应用。

提出了带有磁集成开关电感/电容的交错并联改进型Boost直流变换器。开关电感/电容代替储能电感能够提高电压增益，输入端将开关电感/电容交错并联能够减小输入电流，将电感进行磁集成技术可以减小变换器的体积，改善变换器的输入输出纹波及动态性能，提高变换器功率密度和转换效率。

基于高频的中压（MV）逆变器被用于可再生能源电力传输。然而，由于高频链路电子变压器中较高的绕组间寄生电容会导致共模噪声电流的增加，从而使得电能质量受到影响。这种快速电压瞬态响应会导致谐波失真和变压器过热，从而导致电源故障或许多其他电气危险。

本文在简介铁氧体抑制元件的基础上，重点论述了铁氧体抑制元件磁性能参数、铁氧体抑制元件的阻抗、插入损耗及铁氧体抑制元件应用。

根据对直流电抗器等产品的设计和制作实践，举例说明对某些有特定要求的直流电抗器的简易设计方法：包括铁心确定和线圈的设计；磁路间隙，铜损和铁损的概算，温升的预测；电感随电流的变化趋势，瞬时大电流的耐受能力等，设计和计算结果可供产品制作时的参考。

电感器损坏后，原则上应使用与其性能类型相同，主要参数相同、外形尺寸相同电感器来更换，但若找不到同类型电感器，也可用其他类型的电感器代换。

反激式开关电源输出整流滤波电路原理上是最简单的。但是，由于反激式开关电源的能量传递必须通过变压器转换实现，并压器的初次级两侧的开关(MOSFET或整流二极管)均工作在电流断续状态。

本文将从源头上应对与静电放电密切相关的电磁噪声诱发等干扰问题作抑制并防护,也应在解决方案中对静电保护器件---EMI静噪滤波器应用作说明，并且对防静电新技术发展新趋势作分析。

提高能效可延长小功率器件的运行寿命，勿需更换蓄电池或对蓄电池再充电。在无线传感器网络（WSN）应用中，器件的长寿命是设计的关键因素。本设计的超小功率DC/DC变换器，无论在运行状态或是备用状态，均能以最小的功耗达到高性能。

在本文中，研究了具有铁氧体薄膜的内插器（interposer）上电源电路电感器，以通过向电感器引入高导磁率材料来提高电源电路的效率。在这项工作中，DC-DC降压转换器被用作电源电路。利用场电磁仿真讨论了电感对铁氧体薄膜位置的依赖性。仿真结果表明，铁氧体薄膜应位于电感器的上下两侧和金属之间。

本文将从多物理场仿真的理念入手对其在借助磁共振实现灵活的无线充电与构建更安全的锂离子电池热管理系统等领域的应用作分析说明。

2019年1月26日晚，东莞铭普光磁股份有限公司隆重举办了“在一起，创未来——2019年度评优暨迎春晚会”。遍布在各地的铭普人团聚东莞，与受邀嘉宾欢聚一堂，满怀喜悦一起踏上新征程！

电感在使用过程中，或多或少会出现一点问题。比如应用在驱动上面的贴片电感在使用过程中会出现响声，那么原因是什么?我们今天来说说贴片电感在使用过程中出现的异响问题。

本文研究了无线充电RX端用低损耗镍锌铁氧体新材料以及磁片，并与传统的无线充电RX端镍锌铁氧体材料以及磁片做性能对比。要求新材料所制作的无线充电RX端铁氧体磁片磁导率μi在100KHz下为750，磁导率（虚部）μ"＜10，在50KHz&150mT下，体积功耗Pcv ＜200mW/cm3，充电效率η＞85%，微观结构致密，晶粒细小均一。...

需要仔细选择汽车DC-DC转换器应用中的电感器，以实现成本、质量和电气性能的正确组合。在本文中，提供了有关如何计算所需规格以及可能进行权衡的指导。

本文在简介EMI滤波器正朝小型化、片式化方向发展的基础上，重点论述了新材料、新技术在EMI滤波器上的应用及小型化片式磁性元器件。

本文将对智能型功率模块（SPM）的关键技术特征及在电机控制与高声高强度设备中的应用作分析研讨。

通过对EMI滤波器典型拓扑结构、单相共模电感器工作原理及特点的分析，提出了一种单相共差模磁集成电感器，并分析了其共模电感与差模电感的磁集成原理。结果表明，使用EI-gap磁芯制作的单相共差模磁集成电感器，共模电感量为833.8 μH（10kHz），差模电感量为42 μH，饱和电流超过20 A。

铁氧体是一种利用高导磁性材料渗合其他一种或多种镁、锌、镍等金属在2000℃烧聚而成，在低频段，铁氧体抗干扰磁心呈现出非常低的感性阻抗值，不影响数据线或信号线上有用信号的传输。

开关电源磁性元件一般指变压器和电感。变压器在开关电源中应用非常广泛，变压器的作用大致是提供初级和次级的电气隔离，使输出电压或升或降，传送能量。电感在开关电源中起着储能和滤波作用。

本文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计，研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。