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ROHM(罗姆)旗下LAPIS Semiconductor开发出支持Bluetooth® LE的、实现业界顶级低耗电量(发送数据时9.8mA，接收数据时8.9mA，2秒间歇工作时的平均电流8μA)的LSI(ML7105-00x)。另外，取得耗时耗力的Bluetooth SIG认证和国内外无线电认证后向客户供货的模块也在开发中。
飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。
集创新一代触控芯片实现四项技术创新，瞄准三大时尚应用。在杂讯抑制、跳频工作方式、算法和功耗四个方面取得了显著创新，可完美支持超灵敏、简约手势、可穿戴三大时尚应用。
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