于是我们想到了快速充电。说到手机的快速充电，那真是各村有各村的高招：高通、华为、OPPO，各自都有独家的快速充电技术。不过，将来大家很可能都会统一到一种技术上来，那就是USBPD(Power Delivery)，该标准最高可支持100W的充电功率，这样的功率对于大多数消费电子产品来说已经足够了。

Bourns，全球知名电子组件领导制造供货商，今日宣布推出新型高电流大功率瞬态电压抑制器(PTVS)，能提供卓越的过电压保护。Bourns 最新型 PTVS-M 系列，乃是专门设计用于高功率直流应用的严苛浪涌需求，特别是暴露与恶劣环境的装置。

为什么要降额使用元器件?因为如果元器件的工作状态不超过供应商提供的规格书上的指标。那么可以实现全寿命工作。降额使用，可以提高产品的可靠性。

功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间(MTBF)。

本文介绍了稀土永磁高速电机的开发现状、应用和工作原理，并对稀土永磁材料和稀土永磁高速电机的设计制作及发展方向、应用前景也作了比较详细的描述。

高频变压器输出绕组的交叉调制效应会对多输出原边反馈(PSR)反激转换器的输出电压精度产生显著影响。本文基于一种改进的Canteliver模型,得出一个数学表达式来计算各绕组之间的输出电压关系。在改进型的Canteliver模型中，不仅考虑了输出绕组之间的有效漏感,还考虑了堆叠结构的影响。

本文重点就将新型电源系统在对电子设备测试中免受瞬变和电涌损害的的有效应用等相关问题作分析说明。同时也对电子设备测试系统中引入新型电源系统作为供电依据的技术特征作说明。

本文介绍了铁基软磁复合材料（SMC）技术，特性与优点，具体介绍了为不同应用而研发的SMC产品，这些应用有如电机，快速驱动或脉冲变压器及电力电子等。

本文对软磁材料在高激励条件下的交流损耗测量技术进行了探讨，尤其是对超大尺寸的低磁导率金属磁粉芯材料的损耗测试，以及在直流偏置下的磁芯的损耗及BH曲线测试方法进行了介绍。

为此本文将对基于磁场定向控制技术变频器特征与应用作分析,并以低速大转矩的开环磁场定向控制控制模式、丰富的控制功能及便于分布式管理的网络功能及集于一身的变频器为例作重点说明。

SMD灌封变压器贴片反向是一项重要不良，也是变压器制程中质量管控的难点，采用防呆的骨架与外壳设计可以从根本上避免SMD灌封变压器贴片反向不良的发生。

本文通过对共模电感工作原理及特点的分析，提出了一种优化共模电感阻抗特性的设计方法。其中单层绕线设计极大地降低绕组分布电容，提高谐振频率，从而改善阻抗-频率特性；使用高导铁氧体磁芯与纳米晶磁芯的多磁芯共模电感设计，巧妙地利用铁氧体低频段优异的阻抗特性及纳米晶高频段优异的阻抗特性。

按照数字式隔离电路的电气结构和传输原理及应用，仅对基于iCouple~数字隔离技术的脉冲调制变压器隔离器与抗磁场干扰特性的电容耦合隔离器及数字隔离器特征与应用作分析说明。

工业自动化是未来的一个发展趋势，“机器换人”正在解放越来越多的劳动力。“机会换人”是以“现代化，自动化”装备提升传统产业，利用机器手，自动化控制设备或流水线自动化对企业进行智能技术改造，实现“减员，增效，提质，保安全”的目的。

正弦激励信号源是高频磁芯损耗自动测试系统的核心装置，直接决定了测试系统的精度和可靠性。本文研究了基于DDS的波形生成技术实现正弦信号源频率、幅值的实时控制方法，提出了一种软启动电路可有效克服DDS芯片输出信号瞬间的暂态过程和滤波电路关断延时过程。

直流充电桩电源模块将三相380V交流电转换成750V的直流电压，其前级通常采用三相PFC电路，后级DC\DC模块通常采用三电平LLC电路进行功率调节，整个电源模块包含PFC电感、谐振电感、变压器及EMI滤波电感等众多磁元件，磁性器件在体积和损耗上都占了很大一部分。

介绍了用于电力电子的大电流高阻抗锰锌铁氧体材料特征和各大公司典型材料性能，推荐了日立和耀润公司制作技术、典藏案例，并依据基本理论提供了控制大磁环高、低频阻抗的工艺细节。

研制了一种嵌入主磁路铁芯的可变磁阻器，它融合了蝶阀和球阀的概念，用非铁磁质阀板和铁磁质阀板夹共同构成阀芯，通过改变阀板的法线与铁磁质阀座主磁通方向的夹角，改变主磁通方向铁磁质的有效截面造成局部饱和的方式来调节磁阻，将可变磁阻器串接于主磁路中构成可变电抗器进行了实验。

取生产线同一烧板TSR10材质T25×15×10产品，进行抛光时间实验，讨论不同抛光时间对样品电感量、电感温度特性及抗外加应力特性影响；结果表明：在抛光过程中，造成样品内部存在残余应力，并且随抛光时间的延长，残余应力累积，导致多晶体内部结构发生形变，磁晶各向异性常数K1发生变化。

上图1中，VIN为49V，当M1导通时， Q5(Diodes/Zetex的ZVP1320FTC(MOSFET P-CHAN 200V SOT23-3 0.15USD))导通，当M1关断时，Q5关断D4(BAS516)续流。