与传统的12V BLDC相比，更多的服务器制造商正在采用54V无刷直流电机，从而在几个方面实现显著节省。

无传感器、正弦无刷直流电机控制可减少纹波，提高汽车应用的效率。

EMI滤波器是一种由电感和电容组成的低通滤波器，它能让低频的有用信号顺利通过，而对高频干扰有抑制作用。EMI滤波器的作用。

本文将对为实现当前和未来需求智能供电方式中应用以太网供电远程供电技术设施与安全运行及实施注意事项等新举措作分析。与此同时,首先将以太网供电（PoE）技术理念及架构作说明。

用于光伏发电的电流馈电双有源电桥转换器通常可能需要给定的泄漏或额外的电感，以便提供对电流的适当控制。因此，许多研究都集中在高频变压器的漏感控制上，以集成一个额外的电感器。本文提出了一种非对称绕组配置，以获得高频变压器的受控漏电感，以提高电流馈电双有源桥式变换器的效率。

对用于电子设备的较大容量开关电源来说，必须有抑制高次谐波电流的功率因数校正（PFC）电路，以及广泛使用的有效低噪音化LLC谐振电流电路。富士电机公司不仅继承了迄今已有的技术，而且还追加新的功能,开发了临界态PFC控制IC [FAIA60N] 和LLC电流谐振控制IC。

磁珠和电感在解决EMI和EMC方面各与什么作用，首先我们来看看磁珠和电感的区别，电感是闭合回路的一种属性，多用于电源滤波回路，而磁珠主要多用于信号回路，用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。

高频电源变压器是工作频率超过中频(10kHz)的电源变压器，主要用于高频开关电源中作高频开关电源变压器，也有用于高频逆变电源和高频逆变焊机中作高频逆变电源变压器的。

本文主要介绍了关于干扰电源滤波器分类的相关知识，并着重对干扰电源滤波器系列进行了描述。滤波是信号处理中的一个重要概念，滤波电路的作用是尽可能减小脉动的直流电压中的交流成分，保留其直流成分，使输出电压纹波系数降低，波形变得比较平滑。一般来说，滤波分为经典滤波和现代滤波。

开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间(MTBF)。

电力系统的快速发展对应用在其中的变流器的暂态响应能力提出了越来越高的要求。目前中压直流配电网中DC/DC变流器的系统控制多为传统PI控制。

与传统的12V BLDC相比，更多的服务器制造商正在采用54V无刷直流电机，从而在几个方面实现显著节省。

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。

精密的输出电流测量被更精确地读取，因为它克服了由于板间的接地压降和传输线的电压损耗造成的误差。

本文讲述的是在一定范围的输入电压下，计算电感值以维持所需纹波电流和所选导通模式的方法，并介绍了一种用于计算输入电压上限和下限模式边界的数学方法

给从最小回路实验着手，阐述最小回路在EMC设计中的应用。

超低功率或者超高功率开关电源，并不象一般开关电源那样容易选择。目前常规的电感都是为一些主流设计所制造，并不能很好地满足一些特殊设计。

随着电子设备的尺寸越来越小，电源设计人员在设计电源时必须考虑热限值的问题。如果一个较小的电源无法在特定的应用环境(包括环境温度)下以高负载运行，那么它就等同于没有用处。

随着电子设备的尺寸越来越小，电源设计人员在设计电源时必须考虑热限值的问题。如果一个较小的电源无法在特定的应用环境(包括环境温度)下以高负载运行，那么它就等同于没有用处。

近年来，随着创新应用、新兴技术和新电池化学成分的出现，充电器的需求不断发展。例如，可穿戴设备领域的新应用(如智能银行卡、智能服装和医疗贴片)引领着解决方案变得更小巧便宜，同时也推动着电池朝更小更高功率密度的方向发展。

目前，很多工程师在使用LM358的过程中总是遇到不少问题让人很头疼，如：元件多、成本高、PCB布局麻烦等等一系列的问题，而康源半导体此次推出的CRE4313B则很好的解决了这些问题，其性能可完美替代LM358。

研究了基于新一代宽禁带1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET 的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT 相比省略了开关器件的反并联二极管。

本文提出了一种磁集成平面变压器的新结构。这里介绍的变压器具有许多优点，是LLC谐振转换器的理想选择。通过控制磁棒到磁芯的距离，LLC电路所需谐振电感的调整非常简单。然而，它需要结合使用能量方法（由于绕组和插入磁棒的正交结构）而进行3D FEM仿真磁场分析。本文介绍了所设计的磁性元件的仿真结果。